摘要：

中國(guó)電科產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院(13所)自2004年開始對(duì)碳化硅材料、器件進(jìn)行工藝研究，與國(guó)際先進(jìn)水平同步。經(jīng)過多年的建設(shè)和發(fā)展，2017年，4英寸碳化硅電力電子工藝線正式實(shí)現(xiàn)批產(chǎn)供貨;為進(jìn)一步擴(kuò)充產(chǎn)能、對(duì)標(biāo)國(guó)際先進(jìn)，2019年，產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院(13所)采用改擴(kuò)建方式完成了碳化硅電力電子6英寸工藝線。

截至目前，6英寸碳化硅電力電子工藝線已穩(wěn)定生產(chǎn)供貨。期間通過不斷優(yōu)化產(chǎn)品性能指標(biāo)，產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院(13所)技術(shù)團(tuán)隊(duì)又基于6英寸工藝線完成了第三代薄片工藝碳化硅SBD和第三代碳化硅MOSFET產(chǎn)品開發(fā)，產(chǎn)品指標(biāo)均可對(duì)標(biāo)國(guó)際一線品牌。
近年來，電動(dòng)汽車市場(chǎng)快速增長(zhǎng)，其中高壓碳化MOSFET作為電動(dòng)汽車主逆變器和車載充電器的核心元器件，市場(chǎng)需求量巨大。尤其是用于主逆變器的1200V/100A高壓、大電流碳化硅MOSFET芯片，代表了當(dāng)前碳化硅電力電子芯片技術(shù)的最高水平，全球范圍內(nèi)具備批量供貨能力的廠家屈指可數(shù)。

產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院(13所)經(jīng)過多年的技術(shù)積累和艱苦攻關(guān)，突破多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，完成了車規(guī)級(jí)1200V/100A碳化硅MOSFET芯片產(chǎn)品批量生產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)了多款產(chǎn)品的系列化，產(chǎn)品品質(zhì)得到了國(guó)內(nèi)多家車企的認(rèn)可。

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