摘要：

在科友第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)緊張投產(chǎn)過程中，科友半導(dǎo)體試驗(yàn)線再傳捷報(bào)，科友半導(dǎo)體通過自主設(shè)計(jì)制造的電阻長晶爐產(chǎn)出直徑超過8吋的碳化硅單晶，晶體表面光滑無缺陷，最大直徑超過204mm。這是科友半導(dǎo)體于今年十月在六吋碳化硅晶體厚度上實(shí)現(xiàn)40mm突破后，在碳化硅晶體生長尺寸上取得的又一次極具歷史意義的重大突破。

國際上8吋碳化硅單晶襯底研制成功已有報(bào)道，但迄今尚未有產(chǎn)品投放市場。8吋碳化硅長晶工藝的突破，意味著科友半導(dǎo)體在單晶制備技術(shù)水平上達(dá)到了一個(gè)新的高度，提高企業(yè)市場競爭力，具有極其深遠(yuǎn)的意義?？朴寻雽?dǎo)體自成立伊始，就瞄準(zhǔn)碳化硅襯底行業(yè)痛點(diǎn)和難點(diǎn)，積極推進(jìn)產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研發(fā)和積累，取得了一系列成果，形成了碳化硅長晶裝備和晶體生長自主可控的技術(shù)體系。8吋碳化硅單晶研制成功是科友半導(dǎo)體在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域取得的又一個(gè)重要里程碑，也將有助于增強(qiáng)我國在大尺寸碳化硅單晶襯底的國際競爭力，助力我國寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。隨著科友半導(dǎo)體電阻爐的規(guī)?；瘧?yīng)用和碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)，生產(chǎn)出質(zhì)量更高、成本更低的8吋碳化硅單晶襯底指日可待。

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