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增強(qiáng)氮化硅陶瓷導(dǎo)電性的方式

分類:氮化硅 特陶百科 705 0

目前市面上主要采用金剛石對氮化硅陶瓷材料進(jìn)行加工,不僅加工效率和精度低、成本高,而且難以加工復(fù)雜的微型化零部件。如此一來,尋找一種更為合適的加工方式對于氮化硅陶瓷的發(fā)展確實具有重要的意義。比如說近年來就有一種很被看好的新型加工方式——“放電加工”。這是一種利用電能轉(zhuǎn)換成工件熱能,使工件急速融熔的一種熱性加工方法,其加工過程可無視材料的強(qiáng)度、硬度、脆性等力學(xué)性能,因此是導(dǎo)電難加工材料的理想工藝選擇。

針對氮化硅基陶瓷導(dǎo)電性差,難以加工的特點,目前主要通過添加合適的導(dǎo)電材料來降低其電阻率,使之可用于放電加工,解決加工困難的問題。據(jù)研究表明,TiC顆粒、TiC晶須和TiN顆粒都可提高材料的力學(xué)性能和導(dǎo)電性,但TiN顆粒在提高材料力學(xué)性能和導(dǎo)電性方面所起作用有限。而TiC顆粒和TiC晶須在提高材料力學(xué)性能和導(dǎo)電性方面所起作用明顯,且在添加量為30vol%時,所制備的Si3N4-TiC(顆粒)和Si3N4-TiC(晶須)復(fù)合陶瓷刀具材料具有優(yōu)良的力學(xué)性能和導(dǎo)電性。

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1.為什么要做出可以導(dǎo)電的氮化硅陶瓷?

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