摘要：

第一代半導(dǎo)體材料，發(fā)明并實(shí)用于20世紀(jì)50年代，以硅（Si）、鍺（Ge）為代表，特別是硅，構(gòu)成了一切邏輯器件的基礎(chǔ)。我們的CPU、GPU的算力，都離不開硅的功勞。第二代半導(dǎo)體材料，發(fā)明并實(shí)用于20世紀(jì)80年代，主要是指化合物半導(dǎo)體材料，以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表。其中砷化鎵在射頻功放器件中扮演重要角色，磷化銦在光通信器件中應(yīng)用廣泛。而第三代半導(dǎo)體，發(fā)明并實(shí)用于本世紀(jì)初年，涌現(xiàn)出了碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石（C）、氮化鋁（AlN）等具有寬禁帶（Eg＞2.3eV）特性的新興半導(dǎo)體材料，因此也被成為寬禁帶半導(dǎo)體材料。

第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。是支撐新一代移動(dòng)通信、新能源汽車、高速軌道列車、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級(jí)的重點(diǎn)核心材料和電子元器件，具有廣闊的應(yīng)用前景，已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略競(jìng)爭(zhēng)高地。

《規(guī)劃》規(guī)劃共分發(fā)展現(xiàn)狀、總體要求、產(chǎn)業(yè)布局、重點(diǎn)任務(wù)、保障措施五大部分，目標(biāo)是到2025年，山東省第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈鏈條完善，關(guān)鍵核心技術(shù)自主可控，保持第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵材料市場(chǎng)領(lǐng)先地位。打造百億級(jí)國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地。經(jīng)過多年發(fā)展，山東省第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)形成了一定的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，極具發(fā)展?jié)摿?，目前擁有第三代半?dǎo)體企業(yè)20余家。山東在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域已經(jīng)逐步形成了襯底材料、外延材料、芯片設(shè)計(jì)、器件制造與封測(cè)等較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈，“碳化硅襯底第一股”山東天岳是我國(guó)最大的SiC單晶材料供應(yīng)商，主要產(chǎn)品包括半絕緣型和導(dǎo)電型碳化硅襯底。浪潮華光在外延材料生長(zhǎng)、芯片制備及器件封裝具有完備的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，為山東省發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。隨著濟(jì)南比亞迪半導(dǎo)體有限公司、芯恩（青島）集成電路有限公司、青島惠科微電子有限公司、淄博美林電子有限公司的功率半導(dǎo)體芯片器件產(chǎn)線的建設(shè)和投產(chǎn)，將對(duì)第三代半導(dǎo)體材料的需求形成新的牽引。

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1.關(guān)于印發(fā)《山東省第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展“十四五”規(guī)劃》的通知

2.山東半導(dǎo)體“十四五”規(guī)劃： 4大任務(wù)，5市先行，目標(biāo)300億，向“芯”突破！

3.一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別？