摘要：

中國蘇州，2022年11月23日——?？瓢雽w科技（蘇州）有限公司于蘇州納米科技城召開碳化硅（SiC）外延片投產(chǎn)新聞發(fā)布會。會上公司創(chuàng)始人、總經(jīng)理呂立平宣布，公司采用國產(chǎn)CVD設備和國產(chǎn)襯底生產(chǎn)的6英寸SiC外延片，已于近期通過兩大權(quán)威機構(gòu)的雙重檢測，性能指標完全媲美國際大廠，為我國碳化硅行業(yè)創(chuàng)下了一個毫無爭議的新紀錄。 呂立平總經(jīng)理介紹，在過去的一年里，?？瓢雽w從國產(chǎn)水平外延爐調(diào)試成功，到完成國產(chǎn)量測設備調(diào)試、并實現(xiàn)與進口量測設備的對標校準，填補了行業(yè)空白；近日公司又進一步完成了國產(chǎn)垂直外延爐調(diào)試，并完成了國產(chǎn)襯底原料與進口襯底同等外延工藝下的對比測試。至此，?？瓢雽w實現(xiàn)了工藝設備、量測設備、關(guān)鍵原料的三位一體國產(chǎn)化，完全、干凈、徹底的解決了國外產(chǎn)品的卡脖子問題。這一系列成果填補了我國碳化硅行業(yè)的空白。

所謂SiC外延片，是指在碳化硅襯底上生長一層更高晶格品質(zhì)的單晶薄膜（外延層），在實際應用中一個個碳化硅芯片都是采用光刻、掩膜、摻雜等半導體制程工藝在這個外延層上得以實現(xiàn)，而碳化硅晶片本身是作為襯底實現(xiàn)支撐作用。

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1.國產(chǎn)之光?？瓢雽w：引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時代