摘要：

11月4日，晶盛機電舉行“年產(chǎn)25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項目”簽約暨啟動儀式，旨在加快半導體材料端的關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，實現(xiàn)國產(chǎn)化替代，這一舉措標志著晶盛機電在半導體材料領(lǐng)域的技術(shù)實力和市場競爭力將進一步提升。

在雙碳背景下，國家大力發(fā)展第三代半導體材料，晶盛機電積極響應(yīng)國家戰(zhàn)略需求，在“打造半導體材料裝備領(lǐng)先企業(yè)，發(fā)展綠色智能高科技制造產(chǎn)業(yè)”的使命引領(lǐng)下，堅持“強鏈、補鏈”為半導體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控貢獻力量，持續(xù)推動“先進材料、先進裝備”戰(zhàn)略的深入實施。碳化硅襯底片作為半導體材料的重要組成部分，具有優(yōu)異的性能和廣闊的應(yīng)用前景。公司自2017年開始碳化硅晶體生長設(shè)備和工藝的研發(fā)，相繼成功開發(fā)6英寸、8英寸碳化硅晶體和襯底片，是國內(nèi)為數(shù)不多能供應(yīng)8英寸襯底片的企業(yè)。目前，公司已建設(shè)了6-8 英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光中試線，6英寸襯底片已通過多家下游企業(yè)驗證，正處于快速上量階段，8英寸襯底片處于小批量試制階段。

此次簽約項目總投資21.2億元，建成后，晶盛機電將利用自身的技術(shù)和資源優(yōu)勢，加快碳化硅襯底片的關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)化，加速推進第三代半導體材料國產(chǎn)化進程。作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導體材料裝備企業(yè)，晶盛機電始終圍繞“先進材料、先進裝備”的雙引擎可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略，深化半導體產(chǎn)業(yè)鏈的上下游協(xié)同合作，向下游晶體材料深加工延伸，通過技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)升級，聚力解決國家核心材料自主供給，保障國家戰(zhàn)略安全，為我國半導體材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的活力。

查看更多請點擊以下來源鏈接。

信息來源：

（以上信息來源或部分來源于以下文獻或網(wǎng)絡(luò)鏈接，若有侵權(quán)請及時告知以便刪除）

1.總投資21.2億元！晶盛機電年產(chǎn)25萬片6吋、5萬片8吋碳化硅襯底片項目簽約紹興