概要：蘇州納維創(chuàng)辦以來(lái)，在江蘇省重大成果轉(zhuǎn)化項(xiàng)目、蘇州市各級(jí)人才項(xiàng)目支持下，經(jīng)過(guò)10年攻關(guān)完成了從材料生長(zhǎng)設(shè)備的自主研發(fā)到GaN單晶襯底生長(zhǎng)制備的完整工藝開發(fā)，達(dá)到世界先進(jìn)水平，期間相繼得到科技部863項(xiàng)目和國(guó)家發(fā)改委產(chǎn)業(yè)化示范項(xiàng)目的支持；

企業(yè)信息：

企業(yè)名稱：蘇州納維科技有限公司

統(tǒng)一社會(huì)信用代碼：913205946617787769

網(wǎng)址：http://www.nanowin.com.cn/

注冊(cè)資本：5,679.2887萬(wàn)(元)

成立日期：2007-05-25

所屬省市：江蘇省蘇州市

主營(yíng)：公司產(chǎn)品為產(chǎn)品有GaN單晶襯底，有2英寸、4英寸和6英寸GaN單晶襯底；

產(chǎn)品關(guān)鍵詞：4英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻），4英寸自支撐氮化鎵晶片（鐵摻），2英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻），2英寸自支撐氮化鎵晶片（硅摻），2英寸自支撐氮化鎵晶片（鐵摻），10*10.5mm2自支撐氮化鎵晶片（非摻），10*10.5mm2自支撐氮化鎵晶片（硅摻），10*10.5mm2自支撐氮化鎵晶片（鐵摻），5*10mm2半極性氮化鎵自支撐襯底Semi-palar-(20-2-1)plane(UID/N/SI)，6英寸氮化鎵厚膜晶片（非摻），6英寸氮化鎵厚膜晶片（硅摻），6英寸氮化鎵厚膜晶片（鎂摻），4英寸氮化鎵厚膜晶片（非摻），4英寸氮化鎵厚膜晶片（硅摻），4英寸氮化鎵厚膜晶片（鎂摻），2英寸氮化鎵厚膜晶片（非摻），2英寸氮化鎵厚膜晶片（硅摻），2英寸氮化鎵厚膜晶片（鎂摻）；

產(chǎn)品成分關(guān)鍵詞：氮化鎵

注：以下內(nèi)容信息來(lái)源：http://www.nanowin.com.cn/

公司介紹：

蘇州納維創(chuàng)辦以來(lái)，在江蘇省重大成果轉(zhuǎn)化項(xiàng)目、蘇州市各級(jí)人才項(xiàng)目支持下，經(jīng)過(guò)10年攻關(guān)完成了從材料生長(zhǎng)設(shè)備的自主研發(fā)到GaN單晶襯底生長(zhǎng)制備的完整工藝開發(fā)，2英寸GaN單晶襯底的位錯(cuò)密度降低到10?cm2，達(dá)到世界先進(jìn)水平，期間相繼得到科技部863項(xiàng)目和國(guó)家發(fā)改委產(chǎn)業(yè)化示范項(xiàng)目的支持；近兩年完成了4英寸和6英寸GaN單晶襯底的關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)。目前GaN單晶襯底產(chǎn)品已經(jīng)提供給500余家客戶使用，基本完成了對(duì)研發(fā)市場(chǎng)的占領(lǐng)，正在提升產(chǎn)能向企業(yè)應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)展，重點(diǎn)突破方向是藍(lán)綠光半導(dǎo)體激光器、高功率電力電子器件、高可靠性高功率微波器件等重大領(lǐng)域。申報(bào)相關(guān)核心專利近百余項(xiàng)，在各類重要國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議和產(chǎn)業(yè)論壇上做邀請(qǐng)報(bào)告百余次，蘇州納維受到產(chǎn)業(yè)界和國(guó)際同行的廣泛關(guān)注。

產(chǎn)品圖譜：

注：公司介紹和產(chǎn)品圖譜內(nèi)容版權(quán)歸屬其來(lái)源網(wǎng)站或公司，任何人請(qǐng)勿侵權(quán)使用，若需詳細(xì)了解該公司及其產(chǎn)品，請(qǐng)通過(guò)其官網(wǎng)渠道進(jìn)一步確認(rèn)，本平臺(tái)僅供參考！