摘要：

3月6日遼寧百思特達(dá)半導(dǎo)體旗下氮化鎵項(xiàng)目獲得新進(jìn)展——2吋&4吋外延片處于試生產(chǎn)和產(chǎn)品認(rèn)證階段，正式投產(chǎn)后，可實(shí)現(xiàn)月生產(chǎn)2500片的產(chǎn)能。

3月6日博康半導(dǎo)體氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項(xiàng)目正式開工，總投資約6億元。

2月16日東科半導(dǎo)體表示旗下總投資5.5億元的“超高頻氮化鎵電源管理芯片項(xiàng)目”已竣工，正在進(jìn)行廠房裝修和生產(chǎn)線調(diào)試，預(yù)計(jì)4月底投產(chǎn)。主要從事氮化鎵超高頻AC/DC 電源管理芯片、氮化鎵應(yīng)用模組封裝線的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

1月11日仙羋智造新型智能功率模組(IPM)研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目正式開工。該項(xiàng)目總投資5億元，建成后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)3000萬顆工業(yè)級IPM產(chǎn)品、1000萬顆汽車級IPM產(chǎn)品、1000萬顆氮化鎵芯片封裝產(chǎn)能，預(yù)計(jì)全部投產(chǎn)后年銷售收入可達(dá)12億元。

1月10日中鐵建工集團(tuán)旗下“中國電科射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”已經(jīng)建成完工，該項(xiàng)目總投資超過30億元，建成后將形成年均5億只射頻集成電路，6萬片4～6英寸氮化鎵射頻功率器件，1000萬只射頻模塊的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、測試能力。

1月5日江西省上饒市萬年縣人民政府與上海格晶半導(dǎo)體就氮化鎵第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目進(jìn)行了簽約。該項(xiàng)目總投資達(dá)25億元，項(xiàng)目投產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)5萬片8吋GaN功率器件，成為江西省第一家，中國第二家量產(chǎn)氮化鎵車載功率器件的晶圓廠。

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1.這個(gè)GaN項(xiàng)目開始試產(chǎn)，年產(chǎn)能3萬片

2.總投資約6億元，博康嘉興氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項(xiàng)目開工

3.第三代半導(dǎo)體、芯片、封測等項(xiàng)目迎來新進(jìn)展