摘要：

3月6日遼寧百思特達半導體旗下氮化鎵項目獲得新進展——2吋&4吋外延片處于試生產(chǎn)和產(chǎn)品認證階段，正式投產(chǎn)后，可實現(xiàn)月生產(chǎn)2500片的產(chǎn)能。

3月6日博康半導體氮化鎵射頻功率芯片先導線項目正式開工，總投資約6億元。

2月16日東科半導體表示旗下總投資5.5億元的“超高頻氮化鎵電源管理芯片項目”已竣工，正在進行廠房裝修和生產(chǎn)線調(diào)試，預(yù)計4月底投產(chǎn)。主要從事氮化鎵超高頻AC/DC 電源管理芯片、氮化鎵應(yīng)用模組封裝線的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

1月11日仙羋智造新型智能功率模組(IPM)研發(fā)生產(chǎn)基地項目正式開工。該項目總投資5億元，建成后可實現(xiàn)年產(chǎn)3000萬顆工業(yè)級IPM產(chǎn)品、1000萬顆汽車級IPM產(chǎn)品、1000萬顆氮化鎵芯片封裝產(chǎn)能，預(yù)計全部投產(chǎn)后年銷售收入可達12億元。

1月10日中鐵建工集團旗下“中國電科射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目”已經(jīng)建成完工，該項目總投資超過30億元，建成后將形成年均5億只射頻集成電路，6萬片4～6英寸氮化鎵射頻功率器件，1000萬只射頻模塊的設(shè)計、生產(chǎn)、測試能力。

1月5日江西省上饒市萬年縣人民政府與上海格晶半導體就氮化鎵第三代半導體產(chǎn)業(yè)化項目進行了簽約。該項目總投資達25億元，項目投產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)5萬片8吋GaN功率器件，成為江西省第一家，中國第二家量產(chǎn)氮化鎵車載功率器件的晶圓廠。

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1.這個GaN項目開始試產(chǎn)，年產(chǎn)能3萬片

2.總投資約6億元，博康嘉興氮化鎵射頻功率芯片先導線項目開工

3.第三代半導體、芯片、封測等項目迎來新進展