摘要：

上機(jī)數(shù)控“轉(zhuǎn)戰(zhàn)”材料成功試制6吋SiC

11月6日，上機(jī)數(shù)控發(fā)布消息稱，他們成功試制出6英寸碳化硅襯底，有效厚度達(dá)到20毫米，經(jīng)加工后襯底片的微管、位錯(cuò)等各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。據(jù)了解，今年3月上機(jī)數(shù)控就成立全資子公司弘元半導(dǎo)體，專攻第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，并已主導(dǎo)了一個(gè)碳化硅襯底項(xiàng)目。

晶盛機(jī)電:募資31億建襯底項(xiàng)目，8吋SiC出爐

晶盛機(jī)電成立于2006年，是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體材料裝備企業(yè)。2017年，他們開始布局碳化硅業(yè)務(wù)，2020年建立了SiC長(zhǎng)晶和加工中試線。去年10月，晶盛機(jī)電宣布募資31億元，用于建設(shè)6英寸碳化硅襯底項(xiàng)目。8月，晶盛機(jī)電首顆8英寸N型SiC晶體出爐。晶盛機(jī)電的8英寸SiC晶體的晶坯厚度為25mm，直徑214mm。

GTAT：由生產(chǎn)藍(lán)寶石設(shè)備→生產(chǎn)碳化硅襯底

GTAT原名GT Solar，成立于1994年，曾是一家壟斷光伏和藍(lán)寶石的設(shè)備供應(yīng)商。該公司破產(chǎn)后進(jìn)入SiC賽道，于2013年推出4英寸的SiC長(zhǎng)晶爐，主要使用升華法。2017年，GTAT正式宣布開發(fā)出CrystX? SiC晶體。2018年6月，GTAT舉行了SiC襯底工廠剪彩儀式，并宣布量產(chǎn)。最終，GTAT在去年8月被安森美以27億人民幣收購(gòu)，以推進(jìn)6英寸和8英寸SiC晶體生長(zhǎng)技術(shù)。今年8月，安森美擴(kuò)建的GTAT Hudson（哈德遜）的碳化硅工廠開業(yè)，碳化硅襯底產(chǎn)能將擴(kuò)充4倍。

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