摘要：

12月11日，西咸新區(qū)涇河新城官微發(fā)布消息稱，他們已經(jīng)與江西譽(yù)鴻錦材料科技有限公司簽訂了戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。報道稱，該項目將建立第三代化合物半導(dǎo)體研發(fā)中心，開展氮化鎵基半導(dǎo)體核心技術(shù)攻關(guān)、新品研發(fā)等工作。項目達(dá)產(chǎn)后，可實現(xiàn)年產(chǎn)值500億元，實現(xiàn)年上繳稅收約25億元。他們規(guī)劃氮化鎵產(chǎn)能2萬片/月，芯片產(chǎn)能2億顆/月。
據(jù)了解，該項目建設(shè)單位是江西譽(yù)鴻錦材料科技有限公司，成立于2021年1月，專注于GaN電子器件研發(fā)，并掌握了氮化鎵外延、器件制備和封裝等領(lǐng)域的核心技術(shù)。值得注意的是，譽(yù)鴻錦材料的子公司江西譽(yù)鴻錦芯片主要從事高品質(zhì)GaN電子材料和高端光電材料的MOCVD外延生長及器件、模組的研發(fā)和生產(chǎn)制造。

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1.?116億！國內(nèi)新增氮化鎵IDM項目