摘要：

氧化鎵是新型超寬禁帶半導體材料，擁有優(yōu)異的物理化學特性，在微電子與光電子領(lǐng)域均擁有廣闊的應(yīng)用前景。但因具有高熔點、高溫分解以及易開裂等特性，因此，大尺寸氧化鎵單晶制備極為困難。中國電科46所氧化鎵團隊聚焦多晶面、大尺寸、高摻雜、低缺陷等方向，從大尺寸氧化鎵熱場設(shè)計出發(fā)，成功構(gòu)建了適用于6英寸氧化鎵單晶生長的熱場結(jié)構(gòu)，突破了6英寸氧化鎵單晶生長技術(shù)，具有良好的結(jié)晶性能，可用于6英寸氧化鎵單晶襯底片的研制，將有力支撐我國氧化鎵材料實用化進程和相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

近年來，中國電科圍繞國家戰(zhàn)略需求，在氧化鎵、氮化鋁、金剛石等超寬禁帶半導體材料領(lǐng)域砥礪深耕并取得重大突破和標志性成果，有力支撐了我國超寬禁帶半導體材料的發(fā)展。

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1.國內(nèi)第一！中國電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶