第三代半導(dǎo)體材料SiC引領(lǐng)行業(yè)變革
654摘要: SiC是第三代半導(dǎo)體材料,其具備極好的耐壓性、導(dǎo)熱性和耐熱性,是制造功率器件、大功率射頻器件的突破性材料。根據(jù)Wolfspeed預(yù)計(jì),2022年全球碳化硅器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)43億美元,2026年碳化硅器件市場(chǎng)規(guī)模有望...
查看全文摘要: SiC是第三代半導(dǎo)體材料,其具備極好的耐壓性、導(dǎo)熱性和耐熱性,是制造功率器件、大功率射頻器件的突破性材料。根據(jù)Wolfspeed預(yù)計(jì),2022年全球碳化硅器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)43億美元,2026年碳化硅器件市場(chǎng)規(guī)模有望...
查看全文摘要: 第三代半導(dǎo)體包括碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN),整體產(chǎn)值又以SiC占80%為重。截至今日,已有20家SiC相關(guān)企業(yè)宣布獲得融資,融資金額超23億。融資企業(yè)包括: 天科合達(dá):是我國碳化硅襯底龍頭企業(yè),產(chǎn)業(yè)涵蓋...
查看全文摘要: 2月17日,杭州市富陽區(qū)舉行一季度項(xiàng)目集中簽約暨招商出征大會(huì)。會(huì)上,產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目集中簽約23個(gè)、總投資160.7億元,涉及智能物聯(lián)、高端裝備、新材料等。其中一個(gè)項(xiàng)目是:中科圣研(富陽)研究院項(xiàng)目。據(jù)悉,該...
查看全文摘要: 近年來,下游需求帶動(dòng)下,SiC襯底正在從6英寸開始向8英寸推進(jìn),更大的襯底尺寸,意味著單片SiC晶圓能夠制造出的芯片數(shù)量更多,晶圓邊緣浪費(fèi)減少,單芯片成本降低。2022年3月份,爍科率先對(duì)外發(fā)布“8英寸N型...
查看全文摘要: 在科友第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)緊張投產(chǎn)過程中,科友半導(dǎo)體試驗(yàn)線再傳捷報(bào),科友半導(dǎo)體通過自主設(shè)計(jì)制造的電阻長(zhǎng)晶爐產(chǎn)出直徑超過8吋的碳化硅單晶,晶體表面光滑無缺陷,最大直徑超過204mm。這是科友半導(dǎo)...
查看全文摘要: 1月4日,記者從中國平煤神馬集團(tuán)獲悉,該集團(tuán)生產(chǎn)的碳化硅半導(dǎo)體芯片材料——碳化硅高純粉體和碳化硅晶錠成功下線,產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)國內(nèi)一流水平。這不僅標(biāo)志著該集團(tuán)新能源新材料產(chǎn)業(yè)再添“新軍”,而且填補(bǔ)了河南...
查看全文摘要: 12月30日上午,湖南德智新材料半導(dǎo)體用碳化硅蝕刻環(huán)項(xiàng)目竣工。半導(dǎo)體用碳化硅蝕刻環(huán)項(xiàng)目位于株洲高新區(qū)新馬工業(yè)園,項(xiàng)目全部建成運(yùn)營后,預(yù)計(jì)年均營收將達(dá)6億元。碳化硅蝕刻環(huán)是半導(dǎo)體材料在等離子刻蝕環(huán)...
查看全文摘要: 2022年國內(nèi)共有約31起合計(jì)金額超過33億元關(guān)于碳化硅的融資案 12月:芯聚能/南砂晶圓/忱芯科技 11月:東莞市中科匯珠半導(dǎo)體/瑤芯微 10月:飛锃半導(dǎo)體/致瞻科技 9月:基本半導(dǎo)體 8月:海科(嘉興)電力科技...
查看全文摘要: 三安光電的子公司湖南三安將在未來幾年內(nèi)為一家知名汽車制造商的新電動(dòng)汽車產(chǎn)品線供應(yīng)SiC芯片。 協(xié)議中的SiC芯片將在湖南三安位于長(zhǎng)沙的超大晶圓廠生產(chǎn),據(jù)稱這是中國首個(gè)垂直整合的SiC晶圓制造服務(wù)平臺(tái),...
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