摘要：

近日，安森美位于美國新罕布什爾州的碳化硅(SiC)工廠落成。據(jù)了解，該基地將使安森美到2022年年底的SiC晶圓產(chǎn)能同比增加五倍。安森美表示，公司未來三年將實(shí)現(xiàn)40億美元的SiC收入，2022年的SiC的收入將比去年增加兩倍，并在2023年實(shí)現(xiàn)超過10億美元的收入。安森美在此次公告中表示，預(yù)計SiC的潛在市場容量將從2021年的20億美元增長到2026年的65億美元，年復(fù)合增長率33%?？梢?，未來，碳化硅仍被高度看好。

近年來，寬禁帶半導(dǎo)體中的碳化硅技術(shù)變得愈發(fā)成熟，其應(yīng)用領(lǐng)域也越來越廣泛，其中在電動汽車領(lǐng)域的增長迅速，使得以Wolfspeed、安森美等為首的半導(dǎo)體大廠也開始不斷加大SiC領(lǐng)域的布局。據(jù)了解，與傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體相比，碳化硅具備耐高溫、耐高頻和耐高壓等特性，而傳統(tǒng)的硅功率半導(dǎo)體器件，容易受到場強(qiáng)、禁帶、能隙、熱導(dǎo)率等限制，這也使得SiC功率器件在電動汽車領(lǐng)域廣受關(guān)注。在特斯拉率先在Model 3牽引逆變器中采用SiC組件之后，SiC MOSFET開始逐漸取代電動汽車功率模塊中成熟的硅IGBT，也使得硅與碳化硅應(yīng)用之間的鴻溝開始逐漸縮小。據(jù)了解，采用碳化硅芯片的電動車，能夠使電驅(qū)裝置的體積縮小為五分之一，電動汽車行駛損耗降低60%以上，相同電池容量下里程數(shù)顯著提高。

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